MBR8045

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	MBR8045
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5
Варақаҳои маълумот:	MBR8045 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди диод	Schottky
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	45 V
Ҷорӣ - миёнаи тасҳеҳшуда (Io)	80A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	650 mV @ 80 A
Суръат	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	-
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	1 mA @ 45 V
Иқтидори @ Vr, F	-
Навъи васл	Chassis, Stud Mount
Бастаи / Парвандаи	DO-203AB, DO-5, Stud
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DO-5
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-55°C ~ 150°C

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 53

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	MBR8H100MFST3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MBR860MFST1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MBR8H100MFST1G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MBR860MFST3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MBR845 Rochester Electronics
	MBR860STR SMC Diode Solutions
	MBR835RL Rochester Electronics
	MBR860ULPS-TP Micro Commercial Components (MCC)
	MBR830MFST3G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MBR835 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.