1N8032-GA

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	1N8032-GA
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
Варақаҳои маълумот:	1N8032-GA Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Намуди диод	Silicon Carbide Schottky
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	650 V
Ҷорӣ - миёнаи тасҳеҳшуда (Io)	2.5A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	1.3 V @ 2.5 A
Суръат	No Recovery Time > 500mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	0 ns
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	5 µA @ 650 V
Иқтидори @ Vr, F	274pF @ 1V, 1MHz
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-257-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-257
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-55°C ~ 250°C

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.