Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-C08ET07T-M3
Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
VS-C08ET07T-M3
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | VS-C08ET07T-M3 |
| Истеҳсолкунанда: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Қисми Тавсифи: | SILICON CARBIDE DIODE - TO-220 |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЭЗОД
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.
Мушаххасоти
| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Tube |
| Статуси қисми | Active |
| Намуди диод | Schottky - Single |
| Шиддат - Қуллаи баръакс (Макс) | 650V |
| Ҷорӣ - Макс | 8 A |
| Иқтидори @ Vr, F | 355pF @ 1V, 1MHz |
| Муқовимат @ Агар, Ф. | - |
| Пардохти барқ (Макс) | 54 W |
| Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Бастаи / Парвандаи | TO-220-2 |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | TO-220AC |
Ҳолати саҳҳомӣ: 990
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
Ҳисоб кардани бор
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.
Моделҳои маъмул
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Ба ароба илова карда шуд!
Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.