MUR20010CTR

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	MUR20010CTR
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Варақаҳои маълумот:	MUR20010CTR Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Танзимоти диод	1 Pair Common Anode
Намуди диод	Schottky
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	100 V
Ҷараён - миёнаи тасҳеҳшуда (Io) (дар як диод)	200A (DC)
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	1.3 V @ 100 A
Суръат	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	75 ns
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	25 µA @ 50 V
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-55°C ~ 150°C
Навъи васл	Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи	Twin Tower
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	Twin Tower

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	MUR20010CTR GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A04 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X100A06 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X030A12 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A10 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X060A06 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A04 GeneSiC Semiconductor
	MUR2X120A12 GeneSiC Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.