32CTQ025

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	32CTQ025
Истеҳсолкунанда:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Қисми Тавсифи:	DIODE ARRAY SCHOTTKY 25V TO220AB
Варақаҳои маълумот:	32CTQ025 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Vishay General Semiconductor – Diodes Division #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tube
Статуси қисми	Obsolete
Танзимоти диод	1 Pair Common Cathode
Намуди диод	Schottky
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	25 V
Ҷараён - миёнаи тасҳеҳшуда (Io) (дар як диод)	15A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	490 mV @ 15 A
Суръат	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	-
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	1.75 mA @ 25 V
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-55°C ~ 150°C
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-220-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-220AB

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	32CTQ030STRR Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	32CTQ030STRL Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	32CTQ025 Vishay General Semiconductor – Diodes Division
	32CTQ030-1 SMC Diode Solutions
	32CTQ030STR SMC Diode Solutions
	32CTQ030 SMC Diode Solutions
	32CTQ030S Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.