2SK545-11D-TB-E

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	2SK545-11D-TB-E
Истеҳсолкунанда:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Қисми Тавсифи:	JFET N-CH 1MA 125MW CP
Варақаҳои маълумот:	2SK545-11D-TB-E Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Шиддат - вайроншавӣ (V (BR) GSS)	-
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	40 V
Ҷорӣ - резиши (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	60 µA @ 10 V
Резиши ҷорӣ (Id) - Макс	1 mA
Шиддат - қатъ (VGS хомӯш) @ Id	1.5 V @ 1 µA
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1.7pF @ 10V
Муқовимат - RDS (On)	-
Ҳокимият - Макс	125 mW
Ҳарорати корӣ	-
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	3-CP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 6537

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	2SK508-T1B-A Rochester Electronics
	2SK596S-A Rochester Electronics
	2SK596S-B Rochester Electronics
	2SK545-11D-TB-E Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	2SK596S-C Rochester Electronics
	2SK514-T-A Rochester Electronics
	2SK508-T2B-A Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.