BSC750N10NDGATMA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	BSC750N10NDGATMA1
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	PFET, 3.2A I(D), 100V, 0.075OHM,
Варақаҳои маълумот:	BSC750N10NDGATMA1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	OptiMOS™
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди FET	2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Standard
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	100V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 12µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	11nC @ 10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 50V
Ҳокимият - Макс	26W
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-PowerVDFN
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	PG-TDSON-8-4

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2624

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	BSC750N10NDGATMA1 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.