SH8K10SGZETB

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SH8K10SGZETB
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	SH8K10S IS A POWER MOSFET WITH L
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Standard
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	16.8nC, 17.8nC @ 5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	660pF, 830F @ 10V
Ҳокимият - Макс	1.4W (Ta)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SOP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 2475

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	SH8KA2GZETB ROHM Semiconductor
	SH8KA4TB1 ROHM Semiconductor
	SH8K12TB1 ROHM Semiconductor
	SH8K2TB1 ROHM Semiconductor
	SH8K10SGZETB ROHM Semiconductor
	SH8K37GZETB ROHM Semiconductor
	SH8K32GZETB ROHM Semiconductor
	SH8K39GZETB ROHM Semiconductor
	SH8K1TB1 ROHM Semiconductor
	SH8K32TB1 ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.