SH8MA3TB1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SH8MA3TB1
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
Варақаҳои маълумот:	SH8MA3TB1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N and P-Channel
Хусусияти FET	Standard
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	7.2nC, 10nC @ 10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	300pF, 480pF @ 15V
Ҳокимият - Макс	2W (Ta)
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-SOP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 4859

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	SH8M70TB1 ROHM Semiconductor
	SH8M31GZETB ROHM Semiconductor
	SH8MA4TB1 ROHM Semiconductor
	SH8MA3TB1 ROHM Semiconductor
	SH8M24GZETB ROHM Semiconductor
	SH8M4TB1 ROHM Semiconductor
	SH8M5TB1 ROHM Semiconductor
	SH8M2TB1 ROHM Semiconductor
	SH8M51GZETB ROHM Semiconductor
	SH8M41GZETB ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.