QS8J12TCR

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	QS8J12TCR
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Варақаҳои маълумот:	QS8J12TCR Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)
Статуси қисми	Not For New Designs
Намуди FET	2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	12V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	40nC @ 4.5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	4200pF @ 6V
Ҳокимият - Макс	550mW
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-SMD, Flat Lead
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TSMT8

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.