FDMJ1028N

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FDMJ1028N
Истеҳсолкунанда:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
Варақаҳои маълумот:	FDMJ1028N Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	PowerTrench®
Баста	Tape & Reel (TR)
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	2 N-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Logic Level Gate
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	20V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	3nC @ 4.5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 10V
Ҳокимият - Макс	800mW
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	6-WFDFN Exposed Pad
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	6-MicroFET (2x2)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FDMJ1023PZ Rochester Electronics
	FDMJ1032C Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDMJ1028N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.