EM6M1T2R

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	EM6M1T2R
Истеҳсолкунанда:	ROHM Semiconductor
Қисми Тавсифи:	MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
Варақаҳои маълумот:	EM6M1T2R Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Not For New Designs
Намуди FET	N and P-Channel
Хусусияти FET	Logic Level Gate
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30V, 20V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	100mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	0.9nC @ 4.5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	13pF @ 5V
Ҳокимият - Макс	150mW
Ҳарорати корӣ	150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	SOT-563, SOT-666
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	EMT6

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 30031

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	EM6M2T2R ROHM Semiconductor
	EM6M1T2R ROHM Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.