BSO303PNTMA1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	BSO303PNTMA1
Истеҳсолкунанда:	IR (Infineon Technologies)
Қисми Тавсифи:	MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Варақаҳои маълумот:	BSO303PNTMA1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: IR (Infineon Technologies) #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	OptiMOS™
Баста	Tape & Reel (TR)
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Logic Level Gate
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	72.5nC @ 10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1761pF @ 25V
Ҳокимият - Макс	2W
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	P-DSO-8

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	BSO303PH Rochester Electronics
	BSO303P Rochester Electronics
	BSO303SPH Rochester Electronics
	BSO350N03 Rochester Electronics
	BSO303PNTMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSO330N02KGFUMA1 Rochester Electronics
	BSO330N02KG Rochester Electronics
	BSO303PHXUMA1 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.