FDR8308P

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FDR8308P
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Варақаҳои маълумот:	FDR8308P Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	PowerTrench®
Баста	Bulk
Статуси қисми	Obsolete
Намуди FET	2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET	Logic Level Gate
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	20V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	19nC @ 4.5V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1240pF @ 10V
Ҳокимият - Макс	800mW
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	SuperSOT™-8

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 18650

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FDR8508P Rochester Electronics
	FDR8305N Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FDR8702H Rochester Electronics
	FDR8308P Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.