PBRN113ZS,126

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	PBRN113ZS,126
Истеҳсолкунанда:	NXP Semiconductors
Қисми Тавсифи:	TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3
Варақаҳои маълумот:	PBRN113ZS,126 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: NXP Semiconductors #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Box (TB)
Статуси қисми	Obsolete
Намуди транзистор	NPN - Pre-Biased
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	800 mA
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	40 V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1)	1 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи Emitter (R2)	10 kOhms
Афзоиши ҷараёни доимӣ (hFE) (Min) @ Ic, Vce	500 @ 300mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.15V @ 8mA, 800mA
Ҷорӣ - Қатъи коллектор (Макс)	500nA
Фосила - гузариш	-
Ҳокимият - Макс	700 mW
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-92-3

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.