NTE858M

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	NTE858M
Истеҳсолкунанда:	NTE Electronics, Inc.
Қисми Тавсифи:	IC-DUAL JFET INPUT OP AMP 8-LEAD
Варақаҳои маълумот:	NTE858M Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: NTE Electronics, Inc. #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bag
Статуси қисми	Active
Навъи щуввазиёдкунӣ	J-FET
Шумораи ноҳияҳо	2
Намуди натиҷа	-
Сатҳи паст	13V/µs
Маҳсулоти фарохмаҷро ба даст оред	4 MHz
-3db маҷрои	-
Ҷорӣ - Хатои вурудӣ	80 pA
Шиддат - ҷуброн кардани вуруд	2 mV
Ҷорӣ - Таҳвил	1.4mA (x2 Channels)
Ҷараён - Натиҷа / канал	-
Шиддат - Таҳвил, ягона / дугона (±)	±18V
Ҳарорати корӣ	0°C ~ 70°C (TA)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-Mini DIP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 640

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.