MC100EP51MNR4G

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	MC100EP51MNR4G
Истеҳсолкунанда:	Rochester Electronics
Қисми Тавсифи:	100E SERIES, 1 FUNC, POSITIVE ED
Варақаҳои маълумот:	MC100EP51MNR4G Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Rochester Electronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	100EP
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Вазифа	Reset
Намуди	D-Type
Намуди натиҷа	Complimentary
Шумораи унсурҳо	1
Шумораи битҳо барои як элемент	1
Фосилаи соат	3 GHz
Таъхири Max Propagation @ V, Max CL	-
Навъи триггер	Positive, Negative
Ҷараён - Натиҷаи баланд, паст	-
Шиддат - Таҳвил	-3V ~ -5.5V
Ҷараён - Ором (Iq)	45 mA
Қобилияти вуруд	-
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-DFN (2x2)
Бастаи / Парвандаи	8-VFDFN Exposed Pad

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 73804

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	MC100EP31DTR2G Rochester Electronics
	MC100EL35D Rochester Electronics
	MC10E451FN Rochester Electronics
	MC10H131FN Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MC100EL51DTR2G Rochester Electronics
	MC100EL52DT Rochester Electronics
	MC10H176FNG Rochester Electronics
	MC10EP31DR2G Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	MC100EP51MNR4G Rochester Electronics
	MC10E452FNR2 Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.