ROHM Semiconductor / BS2130F-GE2
Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
BS2130F-GE2
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | BS2130F-GE2 |
| Истеҳсолкунанда: | ROHM Semiconductor |
| Қисми Тавсифи: | 600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE |
| Варақаҳои маълумот: | BS2130F-GE2 Варақаҳои маълумот |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЭЗОД
- ROHM Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.
Мушаххасоти
| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Статуси қисми | Active |
| Танзимоти натиҷа | Half Bridge (3) |
| Барномаҳо | General Purpose |
| Интерфейс | Logic |
| Навъи бор | Inductive, Capacitive |
| Технология | Power MOSFET, IGBT |
| Rds On (Typ) | - |
| Ҷараён - Натиҷа / канал | 350mA |
| Ҷорӣ - Натиҷаи қулла | - |
| Шиддат - Таҳвил | 11.5V ~ 20V |
| Шиддат - Боркунӣ | 600V (Max) |
| Ҳарорати корӣ | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Вижагиҳо | Bootstrap Circuit |
| Муҳофизати гуноҳҳо | Current Limiting, UVLO |
| Навъи васл | Surface Mount |
| Бастаи / Парвандаи | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | 28-SOP |
Ҳолати саҳҳомӣ: 54
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
Ҳисоб кардани бор
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.
Моделҳои маъмул
 |
ROHM Semiconductor |
Ба ароба илова карда шуд!
Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.