SI8275BBD-IM1

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SI8275BBD-IM1
Истеҳсолкунанда:	Silicon Labs
Қисми Тавсифи:	4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
Варақаҳои маълумот:	SI8275BBD-IM1 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Silicon Labs #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	Automotive, AEC-Q100
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Технология	Capacitive Coupling
Шумораи каналҳо	2
Шиддат - Ҷудокунӣ	2500Vrms
Иммунитети гузариши умумӣ (дақ)	200kV/µs
Таъхири паҳнкунӣ tpLH / tpHL (Max)	75ns, 75ns
Таҳрифи паҳнои импулс (макс)	8ns
Вақти болоравӣ / афтиш (навъи)	10.5ns, 13.3ns
Ҷараён - Натиҷаи баланд, паст	1.8A, 4A
Ҷорӣ - Натиҷаи қулла	4A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Typ)	-
Ҷараён - Пешрафти доимӣ (Агар) (Макс)	-
Шиддат - Таҳвили натиҷа	4.2V ~ 30V
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 125°C
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	14-VDFN
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	14-QFN (5x5)
Агентии тасдиқ	CQC, CSA, UL, VDE

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 446

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
1: $2.67000

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.