SI8261BCD-C-IM

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SI8261BCD-C-IM
Истеҳсолкунанда:	Silicon Labs
Қисми Тавсифи:	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
Варақаҳои маълумот:	SI8261BCD-C-IM Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Silicon Labs #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	Automotive, AEC-Q100
Баста	Tray
Статуси қисми	Obsolete
Технология	Capacitive Coupling
Шумораи каналҳо	1
Шиддат - Ҷудокунӣ	5000Vrms
Иммунитети гузариши умумӣ (дақ)	35kV/µs
Таъхири паҳнкунӣ tpLH / tpHL (Max)	60ns, 50ns
Таҳрифи паҳнои импулс (макс)	28ns
Вақти болоравӣ / афтиш (навъи)	5.5ns, 8.5ns
Ҷараён - Натиҷаи баланд, паст	500mA, 1.2A
Ҷорӣ - Натиҷаи қулла	4A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Typ)	2.8V (Max)
Ҷараён - Пешрафти доимӣ (Агар) (Макс)	30 mA
Шиддат - Таҳвили натиҷа	13.5V ~ 30V
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 125°C
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	8-VELGA
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	8-LGA (10x12.5)
Агентии тасдиқ	CQC, CSA, UR, VDE

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Ба ман занг занед

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.