CMS80N03H8-HF

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	CMS80N03H8-HF
Истеҳсолкунанда:	Comchip Technology
Қисми Тавсифи:	MOSFET N-CH 30V 80A DFN5X6
Варақаҳои маълумот:	CMS80N03H8-HF Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Comchip Technology #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	30 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	11.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	1160 pF @ 25 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	2W (Ta), 53W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DFN5x6 (PR-PAK)
Бастаи / Парвандаи	8-PowerTDFN

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	CMS80N06D-HF Comchip Technology
	CMS80N03H8-HF Comchip Technology

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.