Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | FDWS9511L-F085 |
| Истеҳсолкунанда: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Қисми Тавсифи: | MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN |
| Варақаҳои маълумот: | FDWS9511L-F085 Варақаҳои маълумот |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Tape & Reel (TR) |
| Статуси қисми | Active |
| Намуди FET | P-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 40 V |
| Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.5mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 20 V |
| Хусусияти FET | - |
| Пардохти барқ (Макс) | 68.2W (Tc) |
| Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Навъи васл | Surface Mount |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | 8-DFN (5.1x6.3) |
| Бастаи / Парвандаи | 8-PowerTDFN |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.