TK4R1A10PL,S4X

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	TK4R1A10PL,S4X
Истеҳсолкунанда:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Қисми Тавсифи:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Варақаҳои маълумот:	TK4R1A10PL,S4X Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	*
Баста	Tube
Статуси қисми	Active
Намуди FET	-
Технология	-
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	-
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	-
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	-
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	-
Ҳарорати корӣ	-
Навъи васл	-
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	-
Бастаи / Парвандаи	-

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 177

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	TK4R4P06PL,RQ Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK4R3A06PL,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK4R3E06PL,S1X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TK4R1A10PL,S4X Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.