GT30J341,Q

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	GT30J341,Q
Истеҳсолкунанда:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Қисми Тавсифи:	IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tray
Статуси қисми	Active
Намуди IGBT	-
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	600 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	59 A
Ҷорӣ - Коллектор импулс (Icm)	120 A
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 30A
Ҳокимият - Макс	230 W
Гузариш Энергия	800µJ (on), 600µJ (off)
Навъи вуруд	Standard
Пардохти дарвоза	-
Td (фаъол / хомӯш) @ 25 ° C	80ns/280ns
Ҳолати санҷишӣ	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	50 ns
Ҳарорати корӣ	175°C (TJ)
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	TO-3P-3, SC-65-3
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	TO-3P(N)

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	GT30J121(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	GT30J341,Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.