GeneSiC Semiconductor / 1N3767R
Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
1N3767R
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | 1N3767R |
| Истеҳсолкунанда: | GeneSiC Semiconductor |
| Қисми Тавсифи: | DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 |
| Варақаҳои маълумот: | 1N3767R Варақаҳои маълумот |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЭЗОД
- GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.
Мушаххасоти
| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Bulk |
| Статуси қисми | Active |
| Намуди диод | Standard, Reverse Polarity |
| Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max) | 900 V |
| Ҷорӣ - миёнаи тасҳеҳшуда (Io) | 35A |
| Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар | 1.2 V @ 35 A |
| Суръат | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Вақти барқарорсозии баръакс (trr) | - |
| Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Иқтидори @ Vr, F | - |
| Навъи васл | Chassis, Stud Mount |
| Бастаи / Парвандаи | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | DO-5 |
| Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ | -65°C ~ 190°C |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
Ҳисоб кардани бор
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.
Ба ароба илова карда шуд!
Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.