S12J

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	S12J
Истеҳсолкунанда:	GeneSiC Semiconductor
Қисми Тавсифи:	DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Варақаҳои маълумот:	S12J Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: GeneSiC Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Bulk
Статуси қисми	Active
Намуди диод	Standard
Шиддат - баръакси DC (Vr) (Max)	600 V
Ҷорӣ - миёнаи тасҳеҳшуда (Io)	12A
Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар	1.1 V @ 12 A
Суръат	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқарорсозии баръакс (trr)	-
Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr	10 µA @ 50 V
Иқтидори @ Vr, F	-
Навъи васл	Chassis, Stud Mount
Бастаи / Парвандаи	DO-203AA, DO-4, Stud
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	DO-4
Ҳарорати корӣ - Пайвастшавӣ	-65°C ~ 175°C

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	S12JC R7G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JC V6G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JC M6G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JCHR7G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JC V7G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JCHM6G TSC (Taiwan Semiconductor)
	S12JR GeneSiC Semiconductor
	S12J GeneSiC Semiconductor

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.