EIC Semiconductor, Inc. / 3EZ330D5T/R
Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
3EZ330D5T/R
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | 3EZ330D5T/R |
| Истеҳсолкунанда: | EIC Semiconductor, Inc. |
| Қисми Тавсифи: | ZENER 3W, CASE TYPE: DO-41 |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЭЗОД
- EIC Semiconductor, Inc. #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.
Мушаххасоти
| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Tape & Reel (TR) |
| Статуси қисми | Active |
| Шиддат - Зенер (Ном) (Вз) | 330 V |
| Таҳаммулпазирӣ | ±5% |
| Ҳокимият - Макс | 3 W |
| Импеданс (Макс) (Zzt) | 2200 Ohms |
| Ҷараён - Шакли баръакс @ Vr | 1 µA @ 251 V |
| Шиддат - Ба пеш (Vf) (Макс) @ Агар | 2 V @ 200 mA |
| Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Навъи васл | Through Hole |
| Бастаи / Парвандаи | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | DO-41 |
Ҳолати саҳҳомӣ: 10000
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
Ҳисоб кардани бор
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.
Моделҳои маъмул
 |
Rochester Electronics |
 |
Microsemi |
 |
Rochester Electronics |
 |
Micro Commercial Components (MCC) |
 |
Microsemi |
 |
Microsemi |
 |
Microsemi |
 |
Microsemi |
 |
Microsemi |
 |
Microsemi |
Ба ароба илова карда шуд!
Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.