Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SIZF360DT-T1-GE3 |
Истеҳсолкунанда: | Vishay / Siliconix |
Қисми Тавсифи: | MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC |
Варақаҳои маълумот: | SIZF360DT-T1-GE3 Варақаҳои маълумот |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | TrenchFET® Gen IV |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Хусусияти FET | Standard |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 30V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 22nC, 62nC @ 10V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF, 3150pF @ 15V |
Ҳокимият - Макс | 3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи / Парвандаи | 6-PowerPair™ |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | 6-PowerPair™ |
Ҳолати саҳҳомӣ: 50
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
![]() Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.