FPF2C110BI07AS2

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	FPF2C110BI07AS2
Истеҳсолкунанда:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Қисми Тавсифи:	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Варақаҳои маълумот:	FPF2C110BI07AS2 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tray
Статуси қисми	Active
Намуди IGBT	-
Танзимот	Half Bridge
Шиддат - шикасти коллекторҳои эмиттери (ҳадди аксар)	650 V
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс)	40 A
Ҳокимият - Макс	300 W
Vce (дар) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
Ҷорӣ - Қатъи коллектор (Макс)	250 µA
Иқтидори вуруд (Cies) @ Vce	-
Вуруд	Standard
Термистори NTC	Yes
Ҳарорати корӣ	-40°C ~ 150°C
Навъи васл	Through Hole
Бастаи / Парвандаи	30-DIP Module
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	F2

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	FPF2G120BF07AS Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2C110BI07AS2 Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
	FPF2G120BF07ASP Rochester Electronics
	FPF2C8P2NL07A Rochester Electronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.