Renesas Electronics America / RJM0306JSP-01#J0
Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
RJM0306JSP-01#J0
| Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | RJM0306JSP-01#J0 |
| Истеҳсолкунанда: | Renesas Electronics America |
| Қисми Тавсифи: | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP |
| Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
| Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
| Фиристодан аз: | Hong Kong |
| Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЭЗОД
- Renesas Electronics America #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.
Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.
Мушаххасоти
| Навъи | Тавсифи |
|---|---|
| Силсила | - |
| Баста | Tube |
| Статуси қисми | Active |
| Намуди FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Хусусияти FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 30V |
| Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 10V |
| Ҳокимият - Макс | 2.2W |
| Ҳарорати корӣ | - |
| Навъи васл | Surface Mount |
| Бастаи / Парвандаи | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | 8-SOP |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
| Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
|---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
||
Ҳисоб кардани бор
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.
Моделҳои маъмул
 |
Renesas Electronics America |
 |
Renesas Electronics America |
|
Renesas Electronics America |
Ба ароба илова карда шуд!
Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.