RJM0603JSC-00#12

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	RJM0603JSC-00#12
Истеҳсолкунанда:	Renesas Electronics America
Қисми Тавсифи:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Варақаҳои маълумот:	RJM0603JSC-00#12 Варақаҳои маълумот
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: Renesas Electronics America #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	Automotive, AEC-Q101
Баста	Tray
Статуси қисми	Active
Намуди FET	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Хусусияти FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	60V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	43nC @ 10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Ҳокимият - Макс	54W
Ҳарорати корӣ	175°C
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи / Парвандаи	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	20-HSOP

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	RJM0306JSP-01#J0 Renesas Electronics America
	RJM0603JSC-00#13 Renesas Electronics America
	RJM0603JSC-00#12 Renesas Electronics America

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.