SCTH90N65G2V-7

Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда:	SCTH90N65G2V-7
Истеҳсолкунанда:	STMicroelectronics
Қисми Тавсифи:	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS:	Мутобиқати Lead Free / RoHS
Ҳолати саҳҳомӣ:	Дар фурӯш
Фиристодан аз:	Hong Kong
Роҳи интиқол:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЭЗОД: STMicroelectronics #C1 # дар chipnets.com дастрас аст. Мо танҳо қисмҳои нав ва аслиро мефурӯшем ва мӯҳлати кафолати 1 солро пешниҳод мекунем. Агар шумо хоҳед, ки дар бораи маҳсулот маълумоти бештар гиред ё нархи беҳтартарро татбиқ кунед, лутфан бо мо тамос гиред Чати онлайнро клик кунед ё ба мо иқтибос фиристед.

Ҳама ҷузъҳои Eelctronics бо муҳофизати антистатикии ESD хеле бехатар баста мешаванд.

package

Мушаххасоти

Навъи	Тавсифи
Силсила	-
Баста	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статуси қисми	Active
Намуди FET	N-Channel
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss)	650 V
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 400 V
Хусусияти FET	-
Пардохти барқ (Макс)	330W (Tc)
Ҳарорати корӣ	-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи васл	Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда	H2PAK-7
Бастаи / Парвандаи	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Options харид

Ҳолати саҳҳомӣ: 873

Ҳадди ақал: 1

Миқдор	Нархи чакана	Дохил. Нарх
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ

Ҳисоб кардани бор

40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.

Дар 3-5 рӯз меоянд

Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.

Моделҳои маъмул

	SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics
	SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics
	SCTH100N65G2-7AG STMicroelectronics
	SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics
	SCTH40N120G2V7AG STMicroelectronics
	SCTH50N120-7 STMicroelectronics

Ин ашё ба аробаи шумо илова карда шуд.