Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SCTH35N65G2V-7AG |
Истеҳсолкунанда: | STMicroelectronics |
Қисми Тавсифи: | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | Automotive, AEC-Q101 |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 650 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 18V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 20A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.2V @ 1mA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 73 nC @ 20 V |
Vgs (Max) | +22V, -10V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1370 pF @ 400 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 208W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | H2PAK-7 |
Бастаи / Парвандаи | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Ҳолати саҳҳомӣ: 996
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.