Тасвир барои истинод аст, лутфан бо мо тамос гиред, то тасвири воқеӣ гиред
Рақами қисмҳои истеҳсолкунанда: | SCTH40N120G2V7AG |
Истеҳсолкунанда: | STMicroelectronics |
Қисми Тавсифи: | SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7 |
Статуси ройгони пешбар / Ҳолати RoHS: | Мутобиқати Lead Free / RoHS |
Ҳолати саҳҳомӣ: | Дар фурӯш |
Фиристодан аз: | Hong Kong |
Роҳи интиқол: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Навъи | Тавсифи |
---|---|
Силсила | Automotive, AEC-Q101 |
Баста | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статуси қисми | Active |
Намуди FET | N-Channel |
Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
Холӣ ба шиддати манбаъ (Vdss) | 650 V |
Ҷараён - Резиши доимӣ (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Шиддати гардонанда (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Пардохти дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs | 63 nC @ 18 V |
Vgs (Max) | +22V, -10V |
Иқтидори вурудӣ (Ciss) (Max) @ Vds | 1230 pF @ 800 V |
Хусусияти FET | - |
Пардохти барқ (Макс) | 250W (Tc) |
Ҳарорати корӣ | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Навъи васл | Surface Mount |
Бастаи дастгоҳҳои таъминкунанда | H2PAK-7 |
Бастаи / Парвандаи | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Ҳолати саҳҳомӣ: Интиқоли ҳамон рӯз
Ҳадди ақал: 1
Миқдор | Нархи чакана | Дохил. Нарх |
---|---|---|
Нарх дастрас нест, лутфан RFQ |
40 доллари ИМА аз ҷониби FedEx.
Дар 3-5 рӯз меоянд
Экспресс:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) Интиқоли ройгон дар 0,5кг барои фармоиши зиёда аз 150$, Вазни зиёдатӣ алоҳида ситонида мешавад.